صفحة 10 من المقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

ميكرون VS بي إن واي

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2,400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
وزن المنتج	-	86 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

كروشيال VS ميكرون

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb	Micron 2450 Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	حماية من فقدان الطاقة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gbمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS ميكرون

الميزة	Kingston Ssdnow Uv400 480Gb	Micron 2450 Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.59 واط في وضع القراءة / 2.515 واط في وضع الكتابة / 0.693 واط في المتوسط / 0.672 واط في وضع الاستعداد	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		حماية من فقدان الطاقة
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	57 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
محتويات العلبة	حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة كوحدة تخزين خارجية / فاصل 7 مم إلى 9.5 مم لزيادة ارتفاع SSD / حامل 3.5 بوصة للتركيب في الكيس / كابل USB / كابل SATA / كابل بيانات / رقم تسلسلي لتنزيل برنامج Acronis Data Migration	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		3.84 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
وزن المنتج	-	160 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

ميكرون VS سيغيت

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

ميكرون VS سابرنت

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	260 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	10 * 80 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 2450 Nvme M2 256Gb	Samsung 860 Qvo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	حماية من فقدان الطاقة	-
الحجم والأبعاد	22 * 42 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة