صفحة 4 من المقارنة Lexar Ns100 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 34 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 440000 IOPS
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Lexar Ns100 256Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Lexar Ns100 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 128 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 34 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) 1400
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Lexar Ns100 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Lexar Ns100 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 34 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 128 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 7 * 70 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 38.2 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 360 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Lexar Ns100 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Lexar Ns100 256Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS -
الحجم والأبعاد M.2 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 128 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 34 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 2500 MB/s
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Lexar Ns100 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Lexar Ns100 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 480 128 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 34 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Lexar Ns100 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS ليكسار
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Lexar Ns100 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500 128 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 34 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Lexar Ns100 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Lexar Ns100 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 128 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 34 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s

مقارنة Lexar Ns100 256Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Lexar Ns100 256Gb

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 128 (TBW) تيرابايت (tb) 600
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 4200 MB/s
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA