صفحة 9 من المقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	37.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Qvo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

ليكسار VS إكسشوا

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7, 8, 10 / macOS / Linux
الميزات الإضافية	-	معايير FCC, CE, ROHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

ليكسار VS سيلكون باور

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
الحجم والأبعاد	-	11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	46 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

ليكسار VS إم جي

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	12.9 * 23.4 * 80.1 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	46 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Team Group GX2 SATA 2.5 بوصة بسعة 512 جيجابايت

ليكسار VS إم جي

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Team Group GX2 SATA 2.5 بوصة بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

ليكسار VS توينموس

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	10 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	7.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة