صفحة 6 من المقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Lexar Ns100 512Gb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Lexar Ns100 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 256 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 34 جرام (g)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)
وزن المنتج - مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tbمع Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أسود، أبيض -
الحجم والأبعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 35 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج - 51 جرام (g)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 336 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 34 جرام (g)