صفحة 11 من المقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.11 والإصدارات الأحدث / PlayStation 5 / PlayStation 4 Pro / PlayStation 4 مع برنامج إصدار 4 والإصدارات الأحدث / Xbox Series S و X / Xbox One
الحجم والأبعاد - 14 * 62 * 118 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 115 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
الميزات الإضافية - إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 200 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 7.5 جرام (g)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 240 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
مادة الهيكل - معدن
خيارات الألوان - أسود، ذهبي

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6 جرام (g)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 40.6 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)