مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) -
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة - Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
محتويات العلبة - ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM true نعم
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM false نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false نعم
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 9 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم false
دعم S.M.A.R.T نعم false
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gbمع Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

الميزة

Kingston Ssdnow Uv400 480Gb

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.59 واط في وضع القراءة / 2.515 واط في وضع الكتابة / 0.693 واط في المتوسط / 0.672 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 57 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
محتويات العلبة حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة كوحدة تخزين خارجية / فاصل 7 مم إلى 9.5 مم لزيادة ارتفاع SSD / حامل 3.5 بوصة للتركيب في الكيس / كابل USB / كابل SATA / كابل بيانات / رقم تسلسلي لتنزيل برنامج Acronis Data Migration -
نوع الذاكرة DRAM -

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 250Gb

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 7.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 4 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 3.84 TB 1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -