صفحة 15 من المقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 14 * 62 * 118 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 115 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
وحدة التحكم -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.11 والإصدارات الأحدث / PlayStation 5 / PlayStation 4 Pro / PlayStation 4 مع برنامج إصدار 4 والإصدارات الأحدث / Xbox Series S و X / Xbox One
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
استهلاك الطاقة - أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)

مقارنة Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 4Tbمع Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 4Tb

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11 * 23 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 410 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - متوافق مع PlayStation 5 / macOS X / Windows 10

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 40.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
سرعة الكتابة التسلسلية - 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm100 Sata M2 512Gbمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 42 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
محتويات العلبة - سائل تبريد

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

Lexar Nm100 Sata M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش - Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -