مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
وزن المنتج 9 جرام (g) 58 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.5 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tbمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb

Lexar Nm100 M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أسود، أبيض -
الحجم والأبعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 35 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Samsung 860 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
وزن المنتج 9 جرام (g) 20 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -