مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Lexar Nm100 M2 256Gb

وزن المنتج 34.4 g 9 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Lexar Nm100 M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC -
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Lexar Nm100 M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 2500 MB/s
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 540 MB/s
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Lexar Nm100 M2 256Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Lexar Nm100 M2 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nm100 M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s