صفحة 17 من المقارنة Lexar Nm100 M2 128Gb

تم إعداد 6 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع Lexar Nm100 M2 128Gb

الميزة

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Lexar Nm100 M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع Lexar Nm100 M2 128Gb

الميزة

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Lexar Nm100 M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج 9 جرام (g) 10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm100 M2 128Gbمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

Lexar Nm100 M2 128Gb

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm100 M2 128Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Lexar Nm100 M2 128Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع Lexar Nm100 M2 128Gb

الميزة

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Lexar Nm100 M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 13.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm100 M2 128Gbمع Samsung 970 Pro M2 1Tb

الميزة

Lexar Nm100 M2 128Gb

Samsung 970 Pro M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -