صفحة 3 من المقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

الميزة

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 800 GB 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 1076 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 932 MB/s 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2.5" 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج - 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

الميزة

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 800 GB 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 1076 MB/s 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 932 MB/s 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة - أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 800 GB
سرعة القراءة التسلسلية 1076 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 932 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat -
الحجم والأبعاد 2.5" 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 932 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
وزن المنتج 10 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Gri

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سعة الذاكرة 800 GB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 1076 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 932 MB/s 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 600
الحجم والأبعاد 2.5" 2280 (22 x 80 mm)
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

وزن المنتج 34.4 g -
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5"
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة - 800 GB
سرعة القراءة التسلسلية - 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 932 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
خيارات الألوان - Gri
منفذ الاتصال بالذاكرة - SAS

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

وزن المنتج 164 g -
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5"
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة - 800 GB
سرعة القراءة التسلسلية - 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 932 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
خيارات الألوان - Gri
منفذ الاتصال بالذاكرة - SAS

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 932 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 2500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5"
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 166000 IOPS
خيارات الألوان - Gri

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

علامة تجارية غير معروفة VS لينوفو
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 932 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 2500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5"
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 166000 IOPS
خيارات الألوان - Gri

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سعة الذاكرة 800 GB 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 1076 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 932 MB/s 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 240000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 166000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1800000 saat
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC 3D NAND
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 40 g
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

سعة الذاكرة 500 GB 800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 932 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 160 2500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5"
وزن المنتج 2.6 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 166000 IOPS
خيارات الألوان - Gri

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB 800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC -
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 1076 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 932 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS 240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS 166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.5"
وزن المنتج 151.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
خيارات الألوان - Gri