صفحة 5 من المقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive

تم إعداد 5 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb$

مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state driveمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

لينوفو VS إم إس آي

الميزة	Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb
الحجم والأبعاد	2.5"	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	800 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	420000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state driveمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	800 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	420000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم S.M.A.R.T	true	false
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb$

مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state driveمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

لينوفو VS إم إس آي

الميزة	Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb
الحجم والأبعاد	2.5"	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	800 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	420000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
استهلاك الطاقة	-	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb$

مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state driveمع Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

لينوفو VS إم إس آي

الميزة	Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive	Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb
الحجم والأبعاد	2.5"	2.15 x 22 x 80 مم
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	800 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	420000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة Lenovo 4XB7A80340 internal solid state driveمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

لينوفو VS توينموس

الميزة	Lenovo 4XB7A80340 internal solid state drive	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
الحجم والأبعاد	2.5"	-
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	420000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة