صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

تم إعداد 5 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055مع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سعة الذاكرة 7.68 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 230000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 15 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 158 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات RoHS RoHS
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2500 MB/s
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055مع Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 230000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 15 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 158 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055مع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سعة الذاكرة 7.68 TB 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 230000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 15 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 158 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055مع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

سعة الذاكرة 7.68 TB 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 230000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 15 mm) 2.5" (100 * 7 * 70 mm)
وزن المنتج 158 g 38.2 g
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات RoHS -
سرعة القراءة التسلسلية - 450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 360 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17055

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 230000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 15 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 158 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false