صفحة 2 من المقارنة Lenovo 4XB1R33424 internal solid state drive

تم إعداد 2 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Lenovo 4XB1R33424 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

لينوفو VS سامسونج

الميزة	Lenovo 4XB1R33424 internal solid state drive	Samsung 860 EVO
الحجم والأبعاد	U.3 (100.5 * 15 * 70.1 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	400 g	8 g
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
سعة الذاكرة	15 TB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	6800 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5600 MB/s	520 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 35 °C	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-	Yes

$مقارنة Lenovo 4XB1R33424 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

لينوفو VS توينموس

الميزة	Lenovo 4XB1R33424 internal solid state drive	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
الحجم والأبعاد	U.3 (100.5 * 15 * 70.1 mm)	-
وزن المنتج	400 g	-
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6800 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5600 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 35 °C
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false