صفحة 5 من المقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

سعة الذاكرة 512 GB 1.92 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج 9 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3500 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 2900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 320 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) M.2 (80 * 22 * 2.28 mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC -
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3500 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 2900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) M.2 (80 * 22 * 2.28 mm)
وزن المنتج 7.3 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سعة الذاكرة 512 GB 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 520 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

سعة الذاكرة 512 GB 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 250 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) M.2
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 26000 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

سعة الذاكرة 960 GB 512 GB
الحجم والأبعاد 2.5" M.2 (80 * 22 * 2.28 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2900 MB/s
وزن المنتج - 9 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

سعة الذاكرة 512 GB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 76 °C

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سعة الذاكرة 512 GB 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 520 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) 2.5"
وزن المنتج 9 g 58 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سعة الذاكرة 512 GB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 540 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS RoHS
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سعة الذاكرة 512 GB 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 520 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سعة الذاكرة 512 GB 4 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s 530 MB/s
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581مع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

الميزة

اس اس دي داخلي لينوفو 4XB0W79581

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

سعة الذاكرة 512 GB 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3500 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 MB/s -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.28 mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات RoHS -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
دعم S.M.A.R.T - true