صفحة 5 من المقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

تم إعداد 8 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		690000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2230 (22 x 30 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

كينغستون VS كينغستون

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
سعة الذاكرة	2 TB	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb$

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

كينغستون VS إم إس آي

الميزة	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	512 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	4700 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3400 MB/s	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كينغستون VS سامسونج

الميزة	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
سعة الذاكرة	512 GB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	4700 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3400 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	460000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	690000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2230 (22 x 30 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	690000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

كينغستون VS توينموس

الميزة	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	4700 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3400 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb$

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	4700 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3400 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كينغستون VS سامسونج

الميزة	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
سعة الذاكرة	512 GB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	4700 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3400 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	460000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	690000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة