صفحة 13 من المقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		3.5 واط في الوضع النشط
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

إنتل VS إم إس آي

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

إنتل VS توينموس

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

إنتل VS توينموس

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb

إنتل VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	3.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

إنتل VS كليف

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

إنتل VS بلو

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	6.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Kingspec Nt M2 2280 256Gb

إنتل VS كينغسبيك

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Kingspec Nt M2 2280 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb

إنتل VS كليف

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	350 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.40 x 22 x 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج	10 جرام (g)	10 غ (مع مبدد حراري) / 7 غ (بدون مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED	false	-
الميزات الإضافية	-	برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb

إنتل VS أدا

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 128Gb	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	10 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة