صفحة 6 من المقارنة Intel 540S Series 480Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الحجم والأبعاد - 2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 3.9 جرام (g)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 42 جرام (g)
محتويات العلبة - سائل تبريد

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 47 جرام (g)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Samsung 860 Qvo 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 62 جرام (g)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الحجم والأبعاد - 100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج - 62 جرام (g)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Intel 540S Series 480Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

Intel 540S Series 480Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش - Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الميزات الإضافية - مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد - 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 350 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
الميزات الإضافية - برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد - 3.40 x 22 x 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج - 10 غ (مع مبدد حراري) / 7 غ (بدون مبدد حراري)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Kingspec Nt M2 2280 256Gb

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Kingspec Nt M2 2280 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Intel 540S Series 480Gb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

Intel 540S Series 480Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 11 جرام (g)