مقارنة Intel 540S Series 480Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 15 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D eTLC
الجهد التشغيلي - 12 V
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج - 205 g

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت Yes
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Intel 540S Series 480Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Intel 540S Series 480Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes AES أو 256 بت
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 80 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
وزن المنتج - 7.2 g

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 600
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت Yes
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm)
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت Yes
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
الحجم والأبعاد - 2.5" (70 * 100 * 7 mm)

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت Yes
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت Yes
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
الحجم والأبعاد - 2.5"
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Intel 540S Series 480Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Intel 540S Series 480Gb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1800000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES أو 256 بت -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC 3D NAND
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج - 40 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Intel 540S Series 480Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Intel 540S Series 480Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No AES أو 256 بت
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,600,000 ساعة (MTTF) / 73 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false