صفحة 12 من المقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد - 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.5 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 42 جرام (g)
محتويات العلبة - سائل تبريد

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 11 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد - 2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 3.9 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 7 جرام (g)

مقارنة Crucial P2 Nvme M2 1Tbمع Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

الميزة

Crucial P2 Nvme M2 1Tb

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 20 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 45 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Samsung 980 Nvme M2 1Tb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)