صفحة 4 من المقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 9 g
محتويات العلبة - HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 14 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 160
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.6 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 640
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM true نعم
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 3504
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 69 g
تقنية التشفير - No

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 34.4 g
محتويات العلبة - HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 146.2 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false