صفحة 2 من المقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 9 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 320
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 360 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 7 * 70 mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 38.2 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 7.3 g

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g