صفحة 7 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

الميزة	Adata Xpg Sx900 256Gb	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	51 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Kingspec Mt Msata 512Gb

جيجابايت VS كينغسبيك

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Kingspec Mt Msata 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-20 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	41 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8.3 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Kingspec Nt M2 2280 512Gb

جيجابايت VS كينغسبيك

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Kingspec Nt M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	7.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

جيجابايت VS بلو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	37.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة