صفحة 2 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 6.5 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 9 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 7.2 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 70 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
وحدة التحكم - وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 151.3 g

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 360 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 7 * 70 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 38.2 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 46 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 9 g
محتويات العلبة - HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS