صفحة 2 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		90000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	480
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	CE, RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	14 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		90000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		500000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	151.3 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 76 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1800000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة