صفحة 3 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1000000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	14 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	320
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	2.8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		440000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	9 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		30000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	58 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		195000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	12 V
وزن المنتج	-	205 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		26000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		31000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	70 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3100Tntd Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم مخزن الذاكرة المضيف (Host Memory Buffer) / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة