صفحة 2 من المقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 12 V
وزن المنتج - 205 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 50 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 164 g
محتويات العلبة - Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 320
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 3504
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 69 g
تقنية التشفير - No

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 640
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
مؤشر الحالة LED false -