مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

جيجابايت VS كينغسبيك

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة		أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع

جيجابايت VS كروشيال

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	Micron G8 NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS إتش بي

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	34.4 g
محتويات العلبة	-	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

ديل VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

جيجابايت VS إتش بي

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	9 g
محتويات العلبة	-	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	11000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2150000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7.3 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	512 ميجابايت DDR4
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		78000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	3504
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	69 g
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	512 ميجابايت DDR4
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة