صفحة 7 من المقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 500Gbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

الميزة	Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 500Gb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	متوافق مع PlayStation 5	-
الميزات الإضافية		مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11 * 23 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	340 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Western Digital Black Sn770 Nvme M2 1Tb

جيجابايت VS ويسترن ديجيتال

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Western Digital Black Sn770 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	- 600 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج	-	5.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx900 512Gbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

أدا VS جيجابايت

الميزة	Adata Xpg Sx900 512Gb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Ultimate Su650 Sata M2 120Gbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

أدا VS جيجابايت

الميزة	Adata Ultimate Su650 Sata M2 120Gb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	410 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTTF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Kingmax Sa3080 Sata M2 256Gb

جيجابايت VS كينغماكس

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Kingmax Sa3080 Sata M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Western Digital Black Sn850X Nvme M2 1Tb

جيجابايت VS ويسترن ديجيتال

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Western Digital Black Sn850X Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	متوافق مع PlayStation® 5 / برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	true
الأنظمة المتوافقة	-	يدعم Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	5.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Afox Me300 Nvme M2 128Gbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

أفوكس VS جيجابايت

الميزة	Afox Me300 Nvme M2 128Gb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx8100 Nvme M2 512Gbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

أدا VS جيجابايت

الميزة	Adata Xpg Sx8100 Nvme M2 512Gb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 128Gb

جيجابايت VS أو سي بي سي

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	6.7 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS / Linux
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Samsung Mzmtd512Hagl Msata 512Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Samsung Mzmtd512Hagl Msata 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	330 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		3.44 واط في الوضع النشط
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.8 * 30 * 50.95 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	10 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Gammix S10 1Tbمع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

أدا VS جيجابايت

الميزة	Adata Gammix S10 1Tb	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	840 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Teamgroup Mp33 Nvme M2 1Tb

جيجابايت VS إم جي

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Teamgroup Mp33 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج	-	6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة