صفحة 3 من المقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		30000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5"
وزن المنتج	-	58 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb

ديل VS جيجابايت

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	3.84 TB	2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل	-	ألومنيوم، نانوكربون
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70 * 100 * 7 mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	160
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	2.6 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1800000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

جيجابايت VS كليف

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		615000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
وزن المنتج	-	10 g
الشهادات والتصديقات	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	1 جيجابايت نوع DDR4
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الميزات الإضافية	-	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل	-	ألومنيوم، نانوكربون
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة