صفحة 4 من المقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	960 GB	1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل	-	ألومنيوم، نانوكربون
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

جيجابايت VS كليف

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		615000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
وزن المنتج	-	10 g
الشهادات والتصديقات	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		47500 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 76 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		31000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج	-	70 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

جيجابايت VS فيليبس

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	360 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V
الحجم والأبعاد	-	2.5" (100 * 7 * 70 mm)
وزن المنتج	-	38.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1800000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	1 جيجابايت نوع DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
مادة الهيكل	ألومنيوم، نانوكربون	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	1 جيجابايت نوع DDR4
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل	-	ألومنيوم، نانوكربون
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

أداتا VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	-
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	1 جيجابايت نوع DDR4
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل	-	ألومنيوم، نانوكربون
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة