صفحة 2 من المقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 336 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 34 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Kingspec Nt M2 2280 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

الميزة

Crucial Bx500 480Gb

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع DDR4
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية - يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل - ألومنيوم، نانوكربون

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 54.4 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 37.4 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج - 62 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Kingston A400 240Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Kingston A400 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 350 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الحجم والأبعاد - 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 41 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 62 جرام (g)