صفحة 5 من المقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

جيجابايت VS سيجيت

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	28000 IOPS
وزن المنتج	-	14 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb

ديل VS جيجابايت

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	500000 IOPS
وزن المنتج	-	151.3 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

جيجابايت VS سابرنت

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	260 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	10 * 80 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

جيجابايت VS سيغيت

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb

كروشيال VS جيجابايت

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb

أدا VS جيجابايت

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 256Gb	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	7.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة