صفحة 6 من المقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Kingspec Nt M2 2280 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Kingspec Mt Msata 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Kingspec Mt Msata 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
وزن المنتج - 41 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Lexar Ns100 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Lexar Ns100 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 256 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وزن المنتج - 34 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Pro 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Pro 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8.5 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 168 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 34 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 20 جرام (g)