صفحة 3 من المقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 7.7 g
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 9 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - حوالي 8 غ
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 7.3 g
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 700
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC NAND

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
وزن المنتج حوالي 8 غ 58 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 700
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC NAND

مقارنة Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

الميزة

Fadak B5 Sereis Nvme M2 512Gb

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج حوالي 8 غ -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
تقنية التشفير - No