صفحة 3 من المقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		31000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	70 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

كورسير VS لينوفو

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 80 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	6.5 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb

علامة تجارية غير معروفة VS كورسير

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8.2 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

كورسير VS سيجيت

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		195000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	12 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2500000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	205 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

كورسير VS إتش بي

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	82 * 30 * 12 mm
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	164 g
مؤشر الحالة LED	false	-
محتويات العلبة	-	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		440000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

كورسير VS سيجيت

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

كورسير VS كينغستون

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		500000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	151.3 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

كورسير VS كليف

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		615000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	10 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

عرض تفاصيل المقارنة