صفحة 5 من المقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	58 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

أسغارد VS لينوفو

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	31000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	70 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

أسغارد VS لينوفو

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	28000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

أسغارد VS كينغستون

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4000 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	320
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	2.8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي ديل 345-BBCZ

أسغارد VS ديل

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	SSD داخلي ديل 345-BBCZ
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

أسغارد VS سامسونغ

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	7.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

أسغارد VS سيغيت

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Kingspec Nt M2 2280 512Gb

أسغارد VS كينغسبيك

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Kingspec Nt M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Asgard An3 Nvme M2 512Gb

أدا VS أسغارد

الميزة	Adata Xpg Sx900 256Gb	Asgard An3 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Lexar Ns100 512Gb

أسغارد VS ليكسار

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Lexar Ns100 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	256 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	34 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة