صفحة 4 من المقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 500000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 151.3 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 28000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.6 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة - Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية - برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
محتويات العلبة - ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 700
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5800 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 300000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 146.2 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 80 °C
وزن المنتج - 7.2 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 3504
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 78000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 69 g
تقنية التشفير - No