صفحة 2 من المقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
الميزات الإضافية - إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
وزن المنتج - 46 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 20 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1,660 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 6 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 47 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Pro 512Gb

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8.3 جرام (g)